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| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
21+ |
| 批号 |
SO-8 |
数量 |
9 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SO-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
16.1A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
15mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
|
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI4401DDY-T1-GE3 |
| 封装： | 21+ |
| 批号： | SO-8 |
| 数量： | 9 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 16.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 15 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 64 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 6.3 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | SI4 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 37 S |
| 下降时间： | 9 ns |
| 上升时间： | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 45 ns |
| 典型接通延迟时间： | 13 ns |
| 零件号别名： | SI4401DDY-GE3 |
| 单位重量： | 506.600 mg |
15013612469