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电话：15013612469
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| 品牌 |
DIODES |
封装 |
21+ |
| 批号 |
POWERDI33 |
数量 |
5000 |
| 制造商 |
DiodesIncorporated |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PowerDI3333-8 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
Id-连续漏极电流 |
7.7A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
25mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
3V |
|
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMP6023LFG-7 |
| 封装： | 21+ |
| 批号： | POWERDI33 |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerDI3333-8 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 7.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 25 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 53.1 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.8 mm |
| 长度： | 3.3 mm |
| 系列： | DMP60 |
| 宽度： | 3.3 mm |
| 下降时间： | 62 ns |
| 上升时间： | 7.1 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 110 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6 ns |
| 单位重量： | 72 mg |
15013612469