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| 品牌 |
ONSEMI |
封装 |
SOT-23-6 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
5500 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SSOT-6 |
通道数量 |
2Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel,P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
| Id-连续漏极电流 |
3A,2.2A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
70mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
12V |
|
| 品牌： | ONSEMI |
| 型号： | FDC6420C |
| 封装： | SOT-23-6 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 5500 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SSOT-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 3 A, 2.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 70 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 960 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | FDC6420C |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.6 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 10 S, 6 S |
| 下降时间： | 7 ns, 12 ns |
| 上升时间： | 7 ns, 12 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 13 ns, 10 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns, 9 ns |
| 零件号别名： | FDC6420C_NL |
| 单位重量： | 36 mg |
15013612469