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电话：15013612469
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| 品牌 |
Vishay/威世 |
批号 |
25+ |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
Vishay |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220AB-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
500V |
Id-连续漏极电流 |
4.5A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
1.5Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
Qg-栅极电荷 |
38nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
74W |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
IRF |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
16ns |
上升时间 |
16ns |
| 晶体管类型 |
42ns |
典型关闭延迟时间 |
8.2ns |
| 典型接通延迟时间 |
IRF830PBF-BE3SIHF830-E3 |
零件号别名 |
2g |
| 型号 |
IRF830PBF |
|
| 品牌： | Vishay/威世 |
| 型号： | IRF830PBF |
| 批号： | 25+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220AB-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 500 V |
| Id-连续漏极电流： | 4.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 38 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 74 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | IRF |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 16 ns |
| 上升时间： | 16 ns |
| 晶体管类型： | 42 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 8.2 ns |
| 典型接通延迟时间： | IRF830PBF-BE3 SIHF830-E3 |
| 零件号别名： | 2 g |
15013612469