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| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
TDSON8 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TDSON-8 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
28A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
2.2mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
2.8W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
高度 |
1.27mm |
| 长度 |
5.9mm |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
5.15mm |
商标 |
InfineonTechnologies |
| 下降时间 |
8ns |
湿度敏感性 |
Yes |
| 产品类型 |
MOSFET |
上升时间 |
9ns |
15013612469