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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
SOP-8 |
| 批号 |
21+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
驱动配置 |
半桥 |
| 通道类型 |
独立式 |
驱动器数 |
2 |
| 栅极类型 |
IGBT，N沟道MOSFET |
电压-供电 |
10V~20V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH |
0.8V，3V |
输入类型 |
非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） |
100ns，50ns |
工作温度 |
-40°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
| 类型 |
集成电路（IC）PMIC-栅极驱动器 |
型号 |
IR2101STRPBF |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IR2101STRPBF |
| 封装： | SOP-8 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 集成电路（IC） PMIC - 栅极驱动器 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 驱动配置： | 半桥 |
| 通道类型： | 独立式 |
| 驱动器数： | 2 |
| 栅极类型： | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电： | 10V ~ 20V |
| 逻辑电压?- VIL，VIH： | 0.8V，3V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： | 210mA，360mA |
| 输入类型： | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举）： | 600 V |
| 上升/下降时间（典型值）： | 100ns，50ns |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
15013612469