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| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
MG-WDSON |
| 批号 |
23+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
WDSON-2-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
25V |
| Id-连续漏极电流 |
75A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
2.5mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
23nC |
最小工作温度 |
-40C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
28W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
0.7mm |
长度 |
6.35mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
5.05mm |
| 正向跨导-最小值 |
55S |
下降时间 |
2.6ns |
| 湿度敏感性 |
Yes |
上升时间 |
3.4ns |
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