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| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
TO252 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
CoolMOS™ |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
600V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
7.3A（Tc） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
3.5V@200µA |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
63W（Tc） |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 |
类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
| 型号 |
IPD60R600E6 |
|
15013612469