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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
SOP/8 |
| 批号 |
新年份 |
数量 |
7000 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
HEXFET® |
| FET类型 |
P通道 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
7A(Ta) |
不同Id时Vgs(th)(最大值) |
2.5V@250µA |
| Vgs(最大值) |
±20V |
功率耗散(最大值) |
1.79W(Ta) |
| 工作温度 |
-55°C~150°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 供应商器件封装 |
Micro8™ |
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