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| 品牌 |
德州仪器 |
封装 |
0(DQJ)|8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
系列 |
NexFET™ |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
60V |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
3.2W（Ta），116W（Tc） |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
8-PowerTDFN |
可售卖地 |
全国 |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单个 |
|
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD18533Q5A |
| 封装： | 0(DQJ)|8 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET? |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 功率耗散（最大值）： | 3.2W（Ta），116W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
15013612469