联系人：林经理
邮箱：vigny@hxg-components.com
电话：15013612469
地址： 广东深圳市福田区世纪汇都会轩1107室
| 品牌 |
ST/意法半导体 |
封装 |
TO-263-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
5000 |
| 制造商 |
STMicroelectronics |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
55V |
| Id-连续漏极电流 |
80A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.5mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
|
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STB80NF55-06T4 |
| 封装： | TO-263-3 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 55 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.6 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | STB80NF55, STP80NF55 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.35 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 150 S |
| 下降时间： | 65 ns |
| 上升时间： | 155 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 125 ns |
| 典型接通延迟时间： | 27 ns |
| 单位重量： | 4 g |
15013612469