联系人:林经理
邮箱:vigny@hxg-components.com
电话:15013612469
地址: 广东深圳市福田区世纪汇都会轩1107室
| 品牌 |
onsemi/安森美 |
批号 |
25+ |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
ONSemiconductor |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
400V |
Id-连续漏极电流 |
1.56A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
6.5Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
30V |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
2.5W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
高度 |
2.39mm |
| 长度 |
6.73mm |
系列 |
FQD2P40 |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
6.22mm |
| 下降时间 |
25ns |
上升时间 |
33ns |
| 典型关闭延迟时间 |
22ns |
典型接通延迟时间 |
9ns |
| 单位重量 |
260.370mg |
型号 |
FQD2P40TM |

| 品牌: | onsemi/安森美 |
| 型号: | FQD2P40TM |
| 批号: | 25+ |
| 数量: | 5000 |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 400 V |
| Id-连续漏极电流: | 1.56 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 6.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 2.5 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Single |
| 高度: | 2.39 mm |
| 长度: | 6.73 mm |
| 系列: | FQD2P40 |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 宽度: | 6.22 mm |
| 下降时间: | 25 ns |
| 上升时间: | 33 ns |
| 典型关闭延迟时间: | 22 ns |
| 典型接通延迟时间: | 9 ns |
| 单位重量: | 260.370 mg |