联系人：林经理
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电话：15013612469
地址： 广东深圳市福田区世纪汇都会轩1107室
| 品牌 |
VBSEMI |
封装 |
TO220 |
| 批号 |
2018+ |
数量 |
4664 |
| 系列 |
HEXFET |
功率 |
标准 |
| 特色服务 |
实单联系价格优势 |
应用领域 |
安防设备 |
| 产品说明 |
原装现货欢迎咨询 |
是否跨境货源 |
否 |
| 包装 |
管装 |
可售卖地 |
全国 |
| 用途 |
仪器 |
类型 |
其他IC |
| 型号 |
IRFZ24NPBF |
|
类别?分立半导体产品?
晶体管 - FET，MOSFET - 单?
制造商?Infineon Technologies?
系列?HEXFET??
包装 ??管件 ??
零件状态?在售?
FET 类型?N 沟道?
技术?MOSFET（金属氧化物）?
漏源电压（Vdss）?55V?
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）?17A（Tc）?
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）?10V?
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）?70 毫欧 @ 10A，10V?
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）?4V @ 250μA?
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）?20nC @ 10V?
Vgs（最大值）?±20V?
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）?370pF @ 25V?
FET 功能?-?
功率耗散（最大值）?45W（Tc）?
工作温度?-55°C ~ 175°C（TJ）?
安装类型?通孔?
供应商器件封装?TO-220AB?
封装/外壳?TO-220-3
?
15013612469