FQP3P50 场效应管 onsemi/安森美 批次25+

FQP3P50 场效应管 onsemi/安森美 批次25+

价格 3.65
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品牌 onsemi/安森美
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产品详情
品牌

onsemi/安森美

批号

25+

数量

5000

制造商

ONSemiconductor

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

ThroughHole

封装/箱体

TO-220-3

通道数量

1Channel

晶体管极性

P-Channel

Vds-漏源极击穿电压

500V

Id-连续漏极电流

2.7A

RdsOn-漏源导通电阻

4.9Ohms

Vgs-栅极-源极电压

30V

最小工作温度

-55C

最大工作温度

+150C

Pd-功率耗散

85W

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

16.3mm

长度

10.67mm

系列

FQP3P50

晶体管类型

1P-Channel

宽度

4.7mm

正向跨导-最小值

2.35S

下降时间

45ns

上升时间

56ns

典型关闭延迟时间

35ns

典型接通延迟时间

12ns

单位重量

1.800g


技术参数

品牌:onsemi/安森美
型号:FQP3P50
批号:25+
数量:5000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:500 V
Id-连续漏极电流:2.7 A
Rds On-漏源导通电阻:4.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:85 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:16.3 mm
长度:10.67 mm
系列:FQP3P50
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:4.7 mm
正向跨导 - 最小值:2.35 S
下降时间:45 ns
上升时间:56 ns
典型关闭延迟时间:35 ns
典型接通延迟时间:12 ns
单位重量:1.800 g

商家电话:
15013612469