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地址: 广东深圳市福田区世纪汇都会轩1107室
| 品牌 |
onsemi/安森美 |
批号 |
25+ |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
ONSemiconductor |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
500V |
Id-连续漏极电流 |
2.7A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
4.9Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
30V |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
85W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
16.3mm |
| 长度 |
10.67mm |
系列 |
FQP3P50 |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
4.7mm |
| 正向跨导-最小值 |
2.35S |
下降时间 |
45ns |
| 上升时间 |
56ns |
典型关闭延迟时间 |
35ns |
| 典型接通延迟时间 |
12ns |
单位重量 |
1.800g |

| 品牌: | onsemi/安森美 |
| 型号: | FQP3P50 |
| 批号: | 25+ |
| 数量: | 5000 |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 |
| 通道数量: | 1 Channel |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 500 V |
| Id-连续漏极电流: | 2.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 4.9 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 85 W |
| 配置: | Single |
| 通道模式: | Enhancement |
| 高度: | 16.3 mm |
| 长度: | 10.67 mm |
| 系列: | FQP3P50 |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 宽度: | 4.7 mm |
| 正向跨导 - 最小值: | 2.35 S |
| 下降时间: | 45 ns |
| 上升时间: | 56 ns |
| 典型关闭延迟时间: | 35 ns |
| 典型接通延迟时间: | 12 ns |
| 单位重量: | 1.800 g |