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| 品牌 |
英飞凌 |
批号 |
25+ |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOT-23-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
Id-连续漏极电流 |
1.6A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
235mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-16V,+16V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
Qg-栅极电荷 |
2.5nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
1.3W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
高度 |
1.1mm |
| 长度 |
2.9mm |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
1.3mm |
正向跨导-最小值 |
5.7s |
| 下降时间 |
3.6ns |
上升时间 |
2.1ns |
| 典型关闭延迟时间 |
9ns |
单位重量 |
8mg |

| 品牌: | Infineon/英飞凌 |
| 型号: | IRLML0100TRPBF |
| 批号: | 25+ |
| 数量: | 5000 |
| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
| Id-连续漏极电流: | 1.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 235 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
| Qg-栅极电荷: | 2.5 nC |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 1.3 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Single |
| 高度: | 1.1 mm |
| 长度: | 2.9 mm |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 宽度: | 1.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值: | 5.7 s |
| 下降时间: | 3.6 ns |
| 上升时间: | 2.1 ns |
| 典型关闭延迟时间: | 9 ns |
| 单位重量: | 8 mg |