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| 型号 |
NCE3415E |
材料 |
P-FET硅P沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
导电沟道 |
P沟道 |
| 垂直导电结构 |
VDMOSFET |
用途 |
SW-REG/开关电源 |
| 功率 |
小功率 |
控制方式 |
脉冲宽度调制（PWM） |
| 加工定制 |
否 |
极间电容 |
568 |
| 开启电压 |
-20 |
最大漏极电流 |
-4 |
| 最大散热功率 |
2 |
产地 |
中国 |
| 厂家 |
NCE新洁能 |
|
描述
NCE3415E采用先进的沟槽技术
优秀的无线电数据系统（开），低门电荷和操作与门
电压低至1.8V。此装置适合用作
负载开关或在脉宽调制应用。它是静电放电抗议。
一般特征
● VDS=-20V，内径=-4A
RDS（开）<60m? @ VGS=-2.5伏
RDS（开）<45m? @ VGS=-4.5伏
ESD额定值：4000V HBM
● 高功率和电流处理能力
● 获得无铅产品
● 表面贴装封装
应用
● PWM应用
● 负荷开关
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