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| 型号 |
NCE3035Q |
材料 |
N-FET硅N沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
导电沟道 |
N沟道 |
| 垂直导电结构 |
VDMOSFET |
功率 |
小功率 |
| 开启电压 |
30 |
最大漏极电流 |
50 |
| 最大散热功率 |
35 |
产地 |
中国 |
| 厂家 |
NCE新洁能 |
|
描述
NCE3090K采用先进的沟槽技术和
设计提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）。信息技术
可广泛应用。
一般特征
● VDS=30V，内径=90A
RDS（开）=3.4米? (典型）（VGS=10V时）
RDS（开）=6.9m? (典型）VGS=4.5V时
● Rdson的高密度单元设计
● 充分表征雪崩电压和电流
● 稳定性好，均匀性好，EAS高
● 良好的散热包装
● 高静电放电性能的特殊工艺技术
应用
● DC/DC转换器
● 同步整流器
深圳硕森电子科技有限公司，成立于2013年，是一家致力于为电子产业终端提供高价值的电子元器件销售配套服务型企业。
随着国产化进程的推进，科技行业尤其是电子芯片产品的国产化尤为突出，我司与国内诸多行业的生产厂商展开了深度的合作，深耕于MOSFET功率器件与电源管理芯片领域，代理销售的产品均可追溯原厂，提供的选型指导，选择可靠稳定的供货保障。 在产品方案的解决上，可提供工程支持，可为客户研发加快进度，赢得先机。
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