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| 型号 |
NCE0110AK |
材料 |
N-FET硅N沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
导电沟道 |
N沟道 |
| 垂直导电结构 |
VDMOSFET |
用途 |
SW-REG/开关电源 |
| 功率 |
小功率 |
控制方式 |
脉冲宽度调制（PWM） |
| 加工定制 |
否 |
极间电容 |
568 |
| 开启电压 |
100 |
最大漏极电流 |
10 |
| 最大散热功率 |
45 |
产地 |
中国 |
| 厂家 |
新洁能 |
|
NCE0110AK采用先进的挖沟技术和设计，以提供低电荷的优秀rds（on）。它可以用于各种各样的应用。
一般特征
● vds=100v，id=10a
rds（开）<130mΩ@vgs=10v（典型值：95mΩ）
rds（开）<140mΩ@vgs=4.5v（典型值：100mΩ）
● rdson的高密度单元设计
● 充分表征雪崩电压和电流
● 稳定性好，均匀性好，eas高
● 良好的散热包装
● 高静电放电性能的特殊工艺技术
应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
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随着国产化进程的推进，科技行业尤其是电子芯片产品的国产化尤为突出，我司与国内诸多行业的生产厂商展开了深度的合作，深耕于mosfet功率器件与电源管理芯片领域，代理销售的产品均可追溯原厂，提供的选型指导，选择可靠稳定的供货保障。 在产品方案的解决上，可提供工程支持，可为客户研发加快进度，赢得先机。
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