| 型号 |
RTP-3-01 |
别名 |
快速退火炉 |
| 加工定制 |
是 |
适用范围 |
二代三代1-12吋半导体材料 |
| 主要用途 |
半导体材料快速退火 |
炉膛最高温度 |
1200 |
| 工作温度 |
室温 |
厂家 |
武汉嘉仪通科技有限公司 |
嘉仪通晶化快速退火炉RTP-3-01系列采用红外辐射加热技术，可实现1吋(选配2吋)样品快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到的温场均匀性，对薄膜材料进行晶化快速退火处理，提高薄膜材料的均匀性及稳定性。
晶化快速退火炉产品特点：
快速加热和降温: 可控升温速率可达50 ℃/s，特定条件下可以达到100 ℃/s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率，特定条件下可达30 ℃/s。
控温: 采用工业级温控器进行PID控温，目标温度与设定温度曲线一致性高，可实现室温至1200 ℃的温度控制。
适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理（氮气、氩气等）。同时，通过选配真空泵，可以在真空条件下进行退火，真空度可达10-3Pa。
配备观察窗口: 通过观察窗口，可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时，可以结合相关测试方法进行原位测试分析。
超高安全系数: 采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统，全方位保障仪器使用安全。
国产退火炉：拥有自主研发技术和制造能力，能快速反应客户售后需求。
晶化快速退火炉技术参数：
| 型号
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RTP-3-01系列
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温度
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1200℃
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升温速率
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50℃/s
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温度均匀性
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≦1%设定温度
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温度控制
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选用工业级温控器，控温精度±0.1℃
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温度传感器
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标准K型热电偶
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降温速率
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1200℃→400℃，200℃/min 400℃→100℃，20℃/min （自然冷却）
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样品尺寸
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W20 x L20 x T2 (mm)
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主机尺寸
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W420X L320X H220 (mm)
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主机重量
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20.5kg
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晶化快速退火炉客户案例：
清华大学使用嘉仪通1吋晶化快速退火炉给HfO2薄膜做晶化退火，得到晶相一致晶粒较小的晶体，提高薄膜材料的均匀性及稳定性。
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