AP10N10 NMOS SOT89 n沟道增强型mos场效应管

　　场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路；某次场效应管的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外场效应管没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。

　　世微半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。

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　　Green Device Available

　　Excellent Cdv/dt effect decline

　　Advanced high cell density Trench

　　technology

　　The 10N10 is the hig hestp erformance trench N-

　　ch MOSFETs with extreme high cell density,

　　which provide excellent RDSON and gate charge

　　for most of the synchronous buck converter

　　applications .

　　The meet the RoHS and Green Product

　　requirement, 100% EAS guaranteed with full

　　function reliability approved.

　　内阻：85 mΩ