ND9103HXTY METSO 开放数字界面

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　　详细描述

　　思锐智能携业界的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMN China 2024，持续建设全球一流的半导体制造装备，广泛赋能集成电路、第三代半导体等诸多高精尖领域。

　　根据SEMI的数据，受芯片需求疲软等影响，2023年全球半导体设备销售额为1056亿美元，同比下降1.9%，而地区半导体设备销售额同比增长28.3%。中国对成熟节点技术表现出了强劲的需求和消费能力。

　　纵观全局，离子注入已成为半导体器件制备中最主要的掺杂方法，是最基础的制备工艺之一。2000-2023年IC晶圆制造产能从占据全球2%增长到20%，未来中国产能持续迎接快速增长期，年均增长预计超10%。新一代集成电路制造技术创新持续推进，国产化离子注入机的市场应用前景正在快速展开，这也是思锐智能重点投资布局的赛道。

集成电路制造正盛，IMP国产化大有可为

　　在同期的IC制造产业链国际上，思锐智能副总经理陈祥龙表示：“离子注入设备正在赋能新一代逻辑，存储，图像传感器，功率半导体等热门应用领域均可利用离子注入机以提升器件性能或产能。新兴应用推动了离子注入技术创新，以消费市场为例，智能手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子注入的能量将达到8MeV、甚至超过10MeV，高能离子注入机成为的选择。同时，先进制程的发展也进一步推动了低能大束流机的应用。思锐智能布局了“高能离子注入机 + 大束流离子注入机”的系列产品组合，以应对更多应用挑战。”

　　自2021年以来，思锐智能组建核心技术团队，开启离子注入设备研发攻关，2023年首台高能离子注入机取得技术突破并获得国内头部客户订单，同步持续完善业务布局。思锐智能高能离子注入机具备射频传输效率高、能量分辨率高的优势，其关键特性包括射频段传输效率达到30%-50%的水平；能量分辨率高达±1%，小于业内的±2.5%水平等，在关键设备国产化方面实现了技术。

　　进入2024年，AI及其驱动的新智能应用、AI PC和AI手机、新能源汽车及工业应用等产业面临新的机遇和挑战。集成电路是AI技术发展的核心，而装备则是集成电路芯片技术创新的基石。思锐智能愿与合作伙伴携手，赋能半导体产业链高质量发展，推动行业技术的创新与进步。

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