NP724/S1 METSO 控制单元模块

　　NP724/S1 METSO 控制单元模块

　　详细描述

　　人工智能数据中心需要高能效电源转换

　　功率损耗带来了双重挑战，不仅会造成能源浪费、增加运营成本，而且会产生大量热量，进而需占用更大空间、消耗更多成本。运营超大规模人工智能数据中心时，机架功率需求为120 kW。将电网电力转换为 GPU 所用电压的能效约为 88%，这意味着会产生大约 15 kW 废热，并需要通过液冷技术进行有效散热。

　　在服务器电源设计中，能效和功率密度是两个重要概念，二者相辅相成。我们必须尽可能高效地将来自电网的能量转换为有用功率，减少损耗。为此，电源拓扑不断演变，业界开发了同步整流等技术，并在整流器中采用MOSFET 取代了损耗较大的二极管。

　　改进拓扑结构只成功了一半。为了优化能效，还必须尽可能提高所有元器件的能效，尤其是对转换过程至关重要的MOSFET。

　　MOSFET 并非无损耗器件，在导通和开关过程中也会产生损耗。随着服务器电源不断提高运行频率以缩小尺寸，开关损耗成为了优化的重点。

　　高效PowerTrench® MOSFET

　　安森美(onsemi)的中低压T10 PowerTrench®MOSFET采用了新型屏蔽栅极沟槽技术，降低了开关损耗和导通损耗，并进而显著降低了其Qg，RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。其中的先进软恢复体二极管缓解了振铃、过冲和噪声问题，同时降低了 Qrr 损耗，为快速开关应用找到了性能与恢复时间的平衡点。

　　与早期器件相比，这些新型MOSFET 可使开关损耗降低高达 50%，并使导通损耗降低 30% 以上。

　　安森美新型40V和80V T10 PowerTrench 器件的RDS(on) 表现出色。NTMFWS1D5N08X（80 V、1.43 mΩ、5 mm x 6 mm SO8-FL 封装）和NTTFSSCH1D3N04XL（40 V、1.3 mΩ、3.3 mm x 3.3 mm 源极向下双散热封装）具有优异的品质因数(FOM)，是人工智能数据中心电源供应器(PSU) 和中间总线转换器应用的理想选择。T10 PowerTrenchMOSFET 符合严格的 Open Rack V3 能效标准，即能效达到 97.5% 以上。

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