| 型号 |
M25P80-VMN6TP |
封装形式 |
SOP/SOIC |
| 导电类型 |
单极型 |
封装外形 |
单列直插式 |
| 集成度 |
小规模(<50) |
外形尺寸 |
10 |
| 加工定制 |
否 |
工作电源电压 |
10 |
| 最大功率 |
20 |
工作温度 |
30 |
| 产地 |
进口原装 |
数量 |
6800 |
| 封装 |
SOIC-8 |
批号 |
21+ |
|
574594172 |
厂家 |
进口原装 |
特征
?SPI总线兼容串行接口
?8Mb闪存
?75 MHz时钟频率（）
?2.7V至3.6V单电源电压
?0.64ms（典型值）的页面程序（最多256字节）
?擦除功能
–扇区擦除：0.6秒512Kb（典型值）
–大容量擦除：8Mb 8秒（典型）
?写保护
–硬件写保护：保护区大小
由非易失性位BP0、BP1、BP2定义
?深度断电：1μA（典型值）
?电子签名
–JEDEC标准2字节签名（2014h）
–ID代码（UID）和16字节的公共
闪存接口（CFI）数据
–RES命令，单字节签名（13h）用于
向后兼容性
?每个扇区的写入周期超过100000次
?超过20年的数据保留期
?提供汽车级零件
?包装（符合RoHS标准）
–SO8N（锰）150密耳
–SO8W（兆瓦）208密耳
–VFDFPN8（MP）MLP8 6mm x 5mm
–UFDFPN8（MC）MLP8 4mm x 3mm
描述
M25P80是一个8Mb(1Mbx8)串行闪存设备，具有高级写保护机制，通过高速spi兼容总线访问。该设备支持高达75兆赫的时钟频率。
使用PAGE程序命令可以一次编程内存1到256字节。它被组织为16个部门，每个部门包含256页。每页都有256个字节宽。内存可以是4096页，也可以是1,048,576字节。可以使用BULK擦除命令擦除整个内存，也可以使用扇区擦除命令一次擦除一个扇区。
本数据表详细介绍了基于110nm工艺的M25P80器件的功能。
13714705290