| 型号 |
NTMFS4C05NT1G |
材料 |
硅 |
| 功耗 |
40 |
封装 |
DFN-8 |
| 最大工作电流 |
70 |
正常工作电流 |
60 |
| 击穿电压 |
40 |
最大正向整流电流 |
50 |
| 产地 |
美国 |
厂家 |
on |
NTMFS4C05NT1G
规格信息：
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-FL-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:78 A
Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:30 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:33 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:NTMFS4C05N
晶体管类型:1 N-Channel
商标:ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:68 S
下降时间:7 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:32 ns
工厂包装数量:1500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:21 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:107.200 mg
13714705290