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| 型号 |
IXFN32N120P |
半导体材料 |
硅Si |
| 封装方式 |
塑料封装 |
正向电压降 |
1200 |
| 击穿电压 |
1200 V |
最大反向工作电压 |
6.5 V |
| 额定整流电流 |
32 |
功耗 |
830 W |
| 厂家 |
艾赛斯 |
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18221423398