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容量SRAM存储器CY7C1061GE30-10ZSXI
存储器分为两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM芯片读取速度非常快，是目前读写快的存储芯片，价格也相对比较贵，一般在对存储条件比较苛刻的产品上使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲，或者工控智能的产品。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，读取速度也比SRAM芯片慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存条就是DRAM的。
| Part number | Density | Org. | Speed (ns) | Max. Operating VCCQ (V) | Max. Operating Voltage (V) | Min. Operating VCCQ (V) | Min. Operating Voltage (V) | Package |
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| CY7C1061G-10BVJXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | BGA |
| CY7C1061G18-15ZXIT | 16Mb | 1M x 16 | 15 | 2.2 | 2.2 | 1.65 | 1.65 | TSOP I |
| CY7C1061GN30-10BVJXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | BGA |
| CY7C1061G-10BVJXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | BGA |
| CY7C1061G30-10BV1XI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | BGA |
| CY7S1061GE30-10ZXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP I |
| CY7C1061G-10ZSXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | VFBGA |
| CY7C1061GE-10ZSXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | VFBGA |
| CY7C1061G30-10BVJXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | BGA |
| CY7C1061GE30-10BVJXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | BGA |
| CY7C10612GN30-10ZSXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP II |
| CY7C1061GE18-15BVJXI | 16Mb | 1M x 16 | 15 | 2.2 | 2.2 | 1.65 | 1.65 | BGA |
| CY7C1061GN18-15ZSXIT | 16Mb | 1M x 16 | 15 | 2.2 | 2.2 | 1.65 | 1.65 | TSOP |
| CY7C10612G30-10ZSXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP II |
| CY7C1061GE30-10ZSXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP II |
| CY7C1061GE-10ZSXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | TSOP II |
13751192923