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记忆存储器有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
深圳市英尚微电子有限公司是一家的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
| Part number | Density | Org. | Speed (ns) | Max. Operating VCCQ (V) | Max. Operating Voltage (V) | Min. Operating VCCQ (V) | Min. Operating Voltage (V) | Package |
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| CY7S1061G30-10ZXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP I |
| CY7C1061GE30-10ZXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP I |
| CY7C1061G-10BV1XIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | BGA |
| CY7C1061GE-10BVJXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | BGA |
| CY7C1061G-10ZXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | TSOP I |
| CY7C1061GE18-15ZXIT | 16Mb | 1M x 16 | 15 | 2.2 | 2.2 | 1.65 | 1.65 | TSOP I |
| CY7S1061GE30-10BVXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | BGA |
| CY7S1061G18-15ZSXI | 16Mb | 1M x 16 | 15 | 2.2 | 2.2 | 1.65 | 1.65 | TSOP II |
| CY7S1061GE30-10BVXI | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | BGA |
| CY7C10612GN30-10ZSXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP II |
| CY7C1061GE18-15BVXI | 16Mb | 1M x 16 | 15 | 2.2 | 2.2 | 1.65 | 1.65 | BGA |
| CY7C10612GE30-10ZSXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 3.6 | 3.6 | 2.2 | 2.2 | TSOP II |
| CY7C1061G-10BVXIT | 16Mb | 1M x 16 | 10 | 5.5 | 5.5 | 4.5 | 4.5 | BGA |
| CY7C1061G18-15BVJXIT | 16Mb | 1M x 16 | 15 | 2.2 | 2.2 | 1.65 | 1.65 | BGA |
13751192923