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| 型号 |
NCEP40P80G |
材料 |
N-FET硅N沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
导电沟道 |
P沟道 |
| 垂直导电结构 |
VDMOSFET |
用途 |
DC/直流 |
| 功率 |
小功率 |
控制方式 |
脉冲宽度调制（PWM） |
| 封装外形 |
贴片 |
加工定制 |
否 |
| 开启电压 |
40 |
最大漏极电流 |
80 |
| 最大散热功率 |
75 |
产地 |
无锡 |
| 厂家 |
NCE/新洁能 |
|
NCEP40P80G 技术参数
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。
新洁能基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，进一步提高系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。
P沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供解决方案。
注："SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。
NCEP40P80G 产品优势：
系统成本低
设计难度低
NCEP40P80G 产品应用：
更多新洁能，超结-IGBT-沟槽型功率MOSFET-超结功率MOSFET-屏蔽栅功率MOSFET及其它产品，
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