IGBT缓冲吸收电容_轴向引出线缓冲电容_SMJ-TE

IGBT缓冲吸收电容_轴向引出线缓冲电容_SMJ-TE

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品牌 佳名兴
型号 IGBT缓冲吸收电容_轴向引出线缓冲电容_SMJ-TE
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薄膜电容器、金属膜电容器、轴向音频电容器

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产品详情
型号

IGBT缓冲吸收电容_轴向引出线缓冲电容_SMJ-TE

引线方式

轴向

调节方式

固定

外形

长方形

功率特性

频率特性

高频

材质

电容器

标称电容量

0.1uf~5.6uf

允许误差

±5%-±10%

额定电压

630V-2000V

耐压值

1.5DC/105

电容量温度系数

40/85/21

  IGBT缓冲吸收电容_轴向引出线缓冲电容_SMJ-TE

  产品特点:

  ①缓冲电容器的CRE系列IGBT缓冲电容器符合ROHS和REACH标准。

  ②高脉冲电流,高dv/dt承受能力

  ③耐压高,损耗小,温升低

  ④镀锡铜引出线

  ⑤迈拉胶带封装。阻燃树脂灌注

  ⑥自感小,等效串联电阻小

  产品应用:

  ①IGBT缓冲吸收

  ②广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护

  产品参数:

  ①容量范围:0.1uf~5.6uf

  ②工作温度范围:40/85/21

  ③额定电压:630V-2000V

  ④容量偏差:±5%-±10%

  ⑤耐电压:1.5DC/105

  ⑥使用寿命:100000H

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