联系人：刘先生
邮箱：277187808@qq.com
电话：18145855552
地址： 广东深圳市龙华区深圳市宝安区西乡街道共和工业路华丰互联网创意园A711
主营产品：st意法，st意法代理，深圳st意法代理商，st代理商
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET?F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
制造商编号：STD140N6F7
制造商：STMicroelectronics
说明：MOSFET LGS LV MOSFET
制造商: 意法半导体
产品种类: MOSFET
RoHS： 详细信息
技术: Si
安装风格: 贴片/贴片
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N通道
通道数量: 1个频道
Vds-漏源极击穿电压: 60伏
Id-连续漏极电流: 80 安
Rds On-漏源导通电阻: 3.1 毫欧
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 伏，+ 20 伏
Vgs th-栅源极阈值电压: 2伏
Qg-栅极电荷: 55 纳克
最小工作温度: - 55 摄氏度
工作温度: + 175 摄氏度
Pd-功率耗散: 134 瓦。
通道模式: 增强
商标名: StripFET
封装: 卷轴
封装: 剪胶带
封装: 鼠标卷轴
商标: 意法半导体
配置: 单身的
下降时间: 20 纳秒
产品类型: MOSFET
上升时间: 68 纳秒
系列: STD140N6F7
2500
子类别: MOSFET
晶体管类型: 1 N 通道
典型关闭延迟时间: 39 纳秒
典型接通延迟时间: 24 纳秒
单位重量: 330 毫克
18145855552