存储器KLUFG8R1EM-B0C1通用闪存512GB

存储器KLUFG8R1EM-B0C1通用闪存512GB

价格 6.00
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 SAMSUNG/三星
型号 存储器KLUFG8R1EM-B0C1
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产品详情

  存储器KLUFG8R1EM-B0C1通用闪存512GB,三星存储器

  产品型号:KLUFG8R1EM-B0C1

  产品类别:嵌入式存储器 / 通用闪存

  产品规格:

  版本:UFS 2.1

  容量:512 GB

  工作电压:1.8/3.3 V

  接口:G3 2Lane

  封装尺寸:11.5 x 13 x1.0 mm

  工作温度:-25~ 85 °C

  注释: UFS 为通用闪存 。

  移动存储的未来 : UFS 3.1,这是旨在满足 5G 不断增长的需求的闪存存储。高达 1TB 的存储空间和更快的写入速度被封装进一个纤薄的尺寸架构中,非常适合移动设备和汽车解决方案。这意味着更少的缓冲和更多的空间——因此您可以充分运用支持 5G 的优质产品。

  在 5G 时代表现优绣,5G 数据的连接速度比之前有大幅提升,实现了高大容量数据处理。UFS 3.1是为5G设备优化的存储,满足了对更多存储、速度和控制的需求。

  强大的移动性能,为了满足 5G 设备的需求,UFS 3.1 的写入速度是上一代通用闪存存储的 3 倍。此驱动器的 1,200 百万字节/秒 (MB/s) 速度可增强高性能,有助于防止下载文件时缓冲,从而让您在连接频繁的世界中享受 5G 的 低延 迟 连 接性 。

  写入速度高达 1,200 MB/s,注意写入速度可能因容量而异:128 千兆字节 (GB) 高达 850MB/s,256GB 和 512GB 高达 1,200MB/s。

  体验更快的电子器件工程联合委员会 (JEDEC) 标准速度,UFS 3.1 以 JEDEC 标准为支撑,可提供高性能存储和更快速度。这在一定程度上要归功于写入助推器,该技术提高了写入速度,有助于您尽可能快地保存媒体。

  为您的记忆提供的内存,随着照片和视频技术呈指数级增长,您所使用的捕获设备需要存储容量来跟上这种增长。UFS 3.1 拥有高达 1TB 的存储空间——为您提供空余空间。

  微小尺寸架构中的巨大力量,为了适应各种设备,UFS 3.1 设计为只有 0.8 毫米高。这为 5G 连接所需的所有硬件提供了充足的空间,同时仍实现快速、宽敞的存储空间。注意0.8 毫米仅适用于 128GB 容量。

  为您的 5G 生活方式设计,您可在汽车解决方案中找到 UFS 3.1,以增强您的驾驶体验、存储导航系统、机器学习和其他使您的汽车更加智能的技术。它还用于其他 需要快速、大规模存储(如增强现实/虚拟现实)的 5G 连接移动设备以及录制设备。无论是在车里还是家里,UFS 3.1 都能满足您对高速度、高容量的需求。

  它还为 Ceph 集群及其性能基准结果提供了优化配置。三星使用 PM1725a NVMe SSD 基于全闪存配置了 5 个存储节点,使 4 KB 的随机读取性能超过 200 万每秒输入输出量 (IOPS)。下表显示了此参考架构中的性能和延迟的结果。PM1733 | 1735:实现第四代高速串行计算机扩展总线 SSD 的威力,实现第四代高速串行计算机扩展总线固态硬盘的威力高速 SSD 的新时代就在这里。随着 PCIeGen4 PM1733 的发布,三星为存储性能设定了新的标准,并针对当今的数据需求提供了优质内存解决方案。

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