工商信息
深圳市晶立弘泰电子科技有限公司
通过真实性核验手机验证
- 成立时间：
- 深圳市晶立弘泰电子科技有限公司
- 注册资本：
- 50万元
- 所在地区：
- 广东深圳市
- 主营产品：
- LDO、DC/DC、充电管理、LED驱动、太阳能LED照明驱动、汽车照明、MOSFET、单片机、运算
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NP14N03SR-N-G ESOP-8 30V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装
NP1045G 45A/100V TO-252内阻14毫欧 N沟道场效应管 车灯MOS管
NP1009SR-N-G SOP-8 100V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装
AO3416 20V/6.5A场效应MOS管AGSZ印字 SOT23-3 N沟道MOS
AO3407A MOS管30V 4.3A P沟道低压MOS管 丝印A71P SOT23-3
AO3403 SOT-23-3 P沟道 -30V/-2.6A 贴片MOSFET场效应管 丝印A30V
AO3401 30V/-4.2A场效应MOS管X1ZL印字 SOT23-3 P沟道MOS
AO3400 SOT-23-3 30V 5.8A丝印A08K N沟道MOS场效应管 可提供样品
AO2301 SI2301 20V/2.8A场效应MOS管C01C印字 SOT23-3 P沟道MOS
3400 SOT-23-3 30V 5.8A 丝印A1SHB N沟道 MOS场效应管
NP50P03D6-G -50A/-30V P沟道MOS场效应MOS管 PDFN5*6
NP15N10G 15A/100V TO-252内阻82毫欧 N沟道场效应管
NP100N03D6-N-G 100A/30V N沟道场效应MOS管 PDFN5*6-8 内阻3.4
NP9P03G -25A/-30V TO-252内阻14.5毫欧 P沟道场效应MOS管
NP8205MR SOT23-6 6.5A/20V 双N沟道 场效应MOS管
LED车灯驱动MOS管 NP4N10MR 4A/100V耐压N沟道场效应管
NP3090G 90A/30V TO-252内阻3.8毫欧 N沟道MOS场效应管
NP2N10MR NP102 2A/100V耐压N沟道增强型场效应管
NP2018DR 16A/20V 场效应MOS管N沟道 DFN封装
LN6206P182MR 1.8V 低压差低功耗LDO稳压IC芯片 65K7 SOT23
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