| 制造商: | NXP | |
| 产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | |
| 晶体管极性: | NPN | |
| 配置: | Single | |
| 集电极—发射极电压 VCEO: | 32 V | |
| 集电极—基极电压 VCBO: | 32 V | |
| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V | |
| 直流电集电极电流: | 0.1 A | |
| Pd-功率耗散: | 330 mW | |
| 增益带宽产品fT: | 250 MHz | |
| 小工作温度: | - 65 C | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 技术: | Si | |
| 商标: | NXP Semiconductors | |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 20 at 10 uA, 5 V | |
| 产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors | |
| 子类别: | Transistors |
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