高真空磁控溅射仪

　　主要用途

　　用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等。

　　适用于镀制各种单层膜、多层膜及掺杂膜系。

　　可镀制磁性材料和非磁性材料。

　　设备结构及性能

　　单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室。

　　磁控溅射靶数量及类型：1～6靶，圆形平面靶、矩形靶。

　　靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装。

　　磁控溅射靶，射频、直流兼容。

　　基片可旋转、可加热。

　　通入反应气体，可进行反应溅射镀膜。

　　操作方式：手动、半自动、全自动。

　　真空性能

　　极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa

　　设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa

　　全自动磁控溅射镀膜机

　　工件自动传递：采用超高真空机械手，完成工件自动传递。

　　直流和射频溅射电源工作模式设定和电源的闭环自动控制：电源可设定为恒功率、恒流或恒压工作模式；电源内嵌电脑芯片，可与上位机连接形成电源的闭环自动控制；射频溅射电源可自动调谐。

　　实时晶振膜厚监控仪，1～6路膜厚探头，可实时监控镀膜过程，构成镀膜过程闭环控制。

　　镀膜压力自动控制：采用薄膜规作为压力传感器，组成镀膜压力闭环自动控制系统。

　　温度自动控制：采用智能温控仪表，与上位机连接形成温度闭环自动控制，可实现温度曲线自动控制。