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| 品牌 |
艾赛斯 |
型号 |
IXTN200N10L2 |
| 材料 |
锗 |
批号 |
22+ |
| 封装 |
标准封装 |
规格 |
标准 |
| 工作温度范围 |
105℃ |
最大反向峰值电压 |
1000V |
| 加工定制 |
否 |
电流 |
200A |
| 是否进口 |
是 |
数量 |
999 |
苏州银邦主营:
西门康赛米控(Semikron)公司; IGBT模块、 智能功率模块(SKiiP)、 晶闸管/二极管模块，整流桥、晶闸管/二极管分立器件、驱动电路、驱动板
英飞凌(infineon)功率模块公司: IGBT模块、 IGBT单管， 晶闸管/二极管、整流桥、驱动IC及驱动板、富士(FUJI) 功率模块
公司: IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、 驱动电路
三菱. (mitsubishi)功率模块公司: IGBT模块、PIM模块、IPM模块、驱动电路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驱动器
德国(IXYS) 艾赛斯功率模块公司:可控硅模块、 快恢复二极管、整流桥模块、晶闸管模块
三社（SanRex）可控硅模块 二极管 快恢复二极管
巴斯曼（BUSSMANN）熔断器 西门子 罗兰熔断器
IXTN200N10L2 德国艾赛斯功率二极管 MOS管 电子元器件质量保证
IXFN39N90IXFN40N110Q3IXFN44N100PIXFN44N100Q3IXFN44N50IXFN44N50QIXFN44N60IXFN44N80IXFN44N80PIXFN44N80Q3IXFN48N50IXFN48N50QIXFN48N60PIXFN50N800Q2IXFN50N50IXFN52N100XIXFN52N90P
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