西码晶闸管P200CH12 英国Westcode

西码晶闸管P200CH12 英国Westcode

价格 200.00
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品牌 西码
型号 P200CH12
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苏州银邦电子科技有限公司
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可控硅,二极管,IGBT,整流桥,整流器,晶闸管,圆饼可控硅

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产品详情

  晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。单向晶闸管是其中的一种,通常也叫可控硅或整流元件,它既有单向导电的整流作用,又有可以控制的开关作用.利用它可用较小的功率控制较大的功率。以下内容,我们主要看看晶闸管有什么特性及作用。

   单向晶闸管的特性及作用

  单向晶闸管属于PNPN四层半导体器件,共有三个电极,即控制极(门极)G、阳极A和阴极K,只能单向导通。单向晶闸管种类很多,常用的有3CT系列和KP系列,广泛地用于可控整流、交流调压、逆变器和开关电源电路中。常见单向晶闸管的外形见图1(a),其内部结构及电路符号见图 (b)。

  单向晶闸管的导通条件是:除在阳、阴极间加上一定大小的正向电压外,还要在控制极和阴极间加正向触发电压。一旦管子触发导通,控制极即失去控制作用,即使控制极电压变为零,单向晶闸管仍然保持导通。要使单向晶闸管关断,必须去掉阳极正向电压,或者给阳极加反向电压,或者降低阳极正向电压,使通过单向晶闸管的电流降低到维持电流(单向晶闸管导通的小电流)以下。

  单向晶闸管按功率大小,可分为小功率、屮功率和大功率三种。一般从外观上即可进行识别:小功率管多采用塑封或金属壳封装;中功率管控制极引脚比阴极引脚细,阳极带有螺栓;大功率管控制极上带有金厉编织套,像一条辫子。一般额定电流小于200A的多为螺栓形晶闸管,大于200A的多为平板形晶闸管。

  由于螺栓形和平板形单向晶闸管的三个电极外部形状有很大的区别,因此可以根据它们的外形进行区分。螺栓形晶闸管,螺栓是A极,粗辫子线是K极,细辫子线是G极。平板形晶闸管,两个乎面分别是A极和K极,细辫子线是G极。对于金属封装型和塑封型单向晶闸管,由于三个电极在外形上是一样的, 因此判别极性必须采用万用表来检测。

  单向晶闸管电极的检测方法

  由单向晶闸管的结构可知,G极和K极间是一个PN结,类似一只二极管,具有单向导电特性,其正、反向阻值相差很大。而G极和A极间有两个反向串联的PN结,因此正、反向阻值均很大,据此可利用万用表判别出电极。

  将万用表置Rx1kΩ或Rx100Ω挡,检测晶闸管任意两个电极间正、反向阻值,见图1(c)。如果测得其中两个电极间的阻值较小,约为几百欧,而交换表笔测得的阻值很大,约为几千欧,阻值较小的那次测量中,黑表笔接的是G极,红表笔接的是K极,余下的为A极。

  检测注意事项

  在测试中,如果测得的正、反向电阻值均很大,应及时调换电极再进行测试,直到找出正、反向电阻值一大一小的两个电极为止。

  晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管

  当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。

  设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

  晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:

  Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

  若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig

  从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式

  硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。

  当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。

  式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。

  在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。

  可关断晶闸管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。

  前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。

  可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。

  尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极可关断电流IATM与门极负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGM

  βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。

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