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| 品牌 |
三菱/Mitsubishi |
型号 |
CM800HA-24H CM200HA-12H |
| 用途 |
FM/调频 |
材料 |
IGBT绝缘栅比极 |
| 相数 |
单相 |
控制方式 |
脉冲频率调制（PFM） |
| 频率 |
高频 |
加工定制 |
否 |
| 导电沟道 |
P沟道 |
导电方式 |
增强型 |
| 极间电容 |
详询 |
开启电压 |
1200 |
| 夹断电压 |
1200 |
最大漏极电流 |
800 |
| 低频噪声系数 |
详询 |
最大散热功率 |
详询 |
| 产品认证 |
UR |
产地 |
日本 |
| 数量 |
200 |
封装 |
原盒原包 |
| 批号 |
20+ |
3463035523 |
|
| 厂家 |
三菱 |
|
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器
公司主营原装进口电子元器件：Infineon/英飞凌、Semikron/西门康、IXYS/艾赛斯、SanRex/三社、FUJI/富士、Mitsubishi /三菱、MACMIC宏微、Westcode/西玛、TECHSEM/台基、美国IR 、Microsemi/美高森美快恢复二极管、整流桥，IGBT模块、ABB可控硅晶闸管；Bussmann/巴斯曼、Siemens/西门子、Ferraz/罗兰 、Hinode/日之出、德国SIBA西霸、JEAN MULLER 、MIRO茗熔、长城等品牌熔断器；瑞士CONCEPT驱动；Hicon/海立电容器、EPCOS电容、Jianghai/江海电容器等；本公司商品均为实物实拍，优势库存~型号齐全、价格优惠、欢迎咨询！!
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