低压驱动电光调制器 EM 200A

低压驱动电光调制器 EM 200A

价格 面议
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品牌 Santec
型号 EM
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产品详情
型号

EM

运转方式

调式

功率

-17~0.5dBm

波长范围

600nm-900nm

  产品介绍

  低压驱动电光调制器

  横向场ADP、KD*P和铌酸锂类似物调制器

  ADP

  ADP调制器可以被设计为在从UV到可见光直至900nm左右的所有波长下工作,并且基本上不受压电谐振的影响。这种调制器类型具有高度的温度稳定性,但如果需要长期直流振幅,则应在恒温环境中运行。调制频率不受器件特性的限制,而受其电容的限制,因此取决于所使用的驱动电路。宽带AR涂层用于所有组件,或者我们可以提供流体填充版本,包括超高传输类型。

  ADP设计的一个特点是,由于光学传播不是沿着对称轴进行的,所以普通偏振光会“走光”,因此有必要使用四个匹配的晶体,适当地定向,以补偿走光和静态双折射。这确实会对传输产生轻微影响,因为与其他调制器类型相比,晶体表面的数量是前者的两倍。

  KD*P

  横向KD*P电光调制器能够提供比ADP型更高的热稳定性,这主要是因为它们不需要相同的四晶体排列。透射范围也扩展到约1200nm,并且其消光比也比从ADP对应物获得的消光比更好。然而,它确实显示出压电特性,因此对于数百kHz到低MHz范围内的高频调制来说不是一个很好的选择,尽管使用谐振阻尼技术可以提高这里的性能。这些设备也可以提供干燥的适当AR涂层或流体填充,包括超高传输版本。

  铌酸锂

  铌酸锂是一种高温生长的光学材料,与ADP和KD*P晶体不同,它不溶于水。尽管它在500nm以下(以及高达~800nm,请注意仅使用低光功率)无法安全运行,但在该范围以上,它具有良好的透明度,可达~4μm。为了获得的热稳定性,使用Z形切割晶体,这是我们的标准设计,并且没有需要补偿的静态双折射。然而,使用双折射补偿X切割设计可以获得更高的灵敏度。这种切割也用于不需要这种补偿的相位调制器。

  不幸的是,铌酸锂是非常强的压电性的,这会限制其在需要良好时间性能的某些应用中的使用。电池干燥后在晶体和窗户上涂上合适的AR涂层(尽管技术上并不总是需要,但这些涂层用于密封电池以防灰尘等)

  应用通过使用较低的工作电压,可以更容易地找到具有足够带宽的驱动器。对于EM200系列调制器,M250通常足以提供完整的调制(但最长波长仅为~700nm)。对于较大的EM400和EM600设备,可以使用较新的M1000甚至M2500放大器,但这些放大器的带宽确实略为有限。原理应用通常是需要真正的模拟调制(任意波形)的任何地方,例如产生任意偏振旋转(需要额外的波片来保持线性偏振)。它们还可用于从需要脉冲脉冲强度控制的CW激光源产生脉冲输出,这是伴随放大器可以轻松提供的。

  产品型号及主要指标

  产品规格

型号/系列 EM 200A EM 400A EM 200K EM 400K EM 200L EM 400L
晶体类型 ADP ADP KD*P KD*P LiNb03 LiNb03
有效区域 2.2mm 4.0mm 2.2mm 4.0mm 2.0mm 4.0mm
晶体长度 4 x 20mm 4 x 20mm 2 x 40mm 2 x 40mm 2 x 36mm 2 x 36mm
半波电压@633nm 220V 370V 220V 370V 220V 440V
晶体取向 45° y-cut 45° y-cut 45° z-cut 45° z-cut z-cut z-cut
波长范围 0.3 - 0.9um 0.3 - 0.9um 0.2 - 1.2um 0.2 - 1.2um 0.5 - 4.0um 0.5 - 4.0um
连续施加电压 400 1000 400 1000 400 1000
消光比 > 100:1 > 150:1 > 150:1 > 200:1 > 100:1 > 150:1
电容 60pf 60pf 40pf 40pf 60pf 60pf
直径 40mm 40mm 40mm 40mm 40mm 40mm
长度 110mm 110mm 110mm 110mm 110mm 110mm
光学传输效率 > 85%* > 85%* > 90%* > 90%* > 90%* > 90%*
连接器类型 ---BNC--- ---BNC--- ---BNC--- ---BNC--- ---BNC--- ---BNC---

  设备的孔径大小标称为2mm和4mm,但可提供高达6mm的孔径,大多数设备都可配置为优化偏振调制(交叉偏振器之间的强度调制)或相位调制的晶体,其中输入偏振状态保持不变,单元调制表观光路长度。

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