IGBT陶瓷基板 IGBT基板

　　IGBT陶瓷基板

　　层数：2层

　　板厚：0.38mm

　　所用板材：99%氮化铝

　　最小孔径：0.8mm

　　表面处理：沉金

　　绝缘层导热系数：170W

　　外层铜厚：35um

　　金 厚：>=3u"

　　工艺特点：陶瓷基 dpc工艺

　　igbt氮化铝陶瓷基板有什么“魔力”？

　　绝缘 栅双极晶体管(IGBT)是实现电能转换和控制的优良的电力电子器件，广泛应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。氮化铝陶瓷覆铜板具有高导热、高电绝缘、高机械强度和低陶瓷膨胀的特性，以及无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。

　　由于高电压、大功率IGBT模块的技术门槛较高，很难实现，尤其是封装材料要求具有更好的散热性能、更高的可靠性和更高的负载流量。高压大功率IGBT模块产生的热量主要通过陶瓷覆铜板传递到壳体并消散，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域中功率模块封装不可缺少的关键基础材料。它不仅具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度和低膨胀的特点，而且还具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能，可以像印刷电路板一样印刷出各种图案。IGBT氮化铝陶瓷基板结合了电力电子封装材料的各种优点：

　　1、陶瓷部件具有优异的热传导和耐压特性;

　　2、铜导体具有极高的载流能力;

　　3、金属和氮化铝陶瓷之间的高粘合强度和可靠性;

　　4、便于刻蚀图形形成电路基板;

　　5、优良的焊接性能，适用于铝线焊接。

　　陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆铜板性能的决定性因素。目前，有三种陶瓷被用作陶瓷覆铜板基板材料，即氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。铝基氧化物陶瓷基板是最常用的陶瓷基板，因为它具有良好的绝缘性、良好的化学稳定性、良好的机械性能和低廉的价格，但由于氧化铝陶瓷基板的热导率相对较低，它与硅的热膨胀系数不匹配。作为高功率模块封装材料，氧化铝材料的应用前景不容乐观。

　　氮化铝覆铜板具有很高的导热性和快速散热的热特性;在应力方面，热膨胀系数接近硅，整个模块的内应力较低，提高了高压IGBT模块的可靠性。这些优异的性能使氮化铝覆铜板成为高压IGBT模块封装的核心材料。