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| 型号 |
FAST SDD |
光学分辨率 |
5.9 keV 时 122 eV FWHM |
| 加工定制 |
否 |
重量 |
0.18 |
Amptek 最近在内部引入了硅晶片制造工艺并改进了此工艺。他们生产出的探测器具有更低的噪声、更低的泄漏电流、更好的电荷收集能力，并且探测器之间的一致性更好。这使它成为目前性能且真正的硅漂移探测器。
FAST SDD® 是 Amptek 性能的硅漂移探测器（SDD），能够在保持出色分辨率的同时，提供超过 1,000,000 CPS（每秒计数）的计数率。FAST SDD® 还可配备我们的专利 C 系列 (Si3N4) 低能量窗口，用于软 X 射线分析。
概述
我们传统的 SDD 在密封的 TO-8 封装内使用了一个结栅场效应晶体管（JFET）以及一个外部前置放大器，而 FAST SDD 在 TO-8 封装内使用了一个互补型金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）取代了 JFET。 这显著降低了电容，提供了更低的串联噪声，并提高了短峰值时间时的分辨率。 FAST SDD® 使用了相同的探测器，但带有前置放大器，可在较短的峰值时间时提供更低的噪声。改善后的（更低）分辨率可分离具有相近能量值以及峰可能重叠的荧光 X 射线，从而使用户能够更好地识别样品中的所有元素。 较短的峰值时间也可显著提高计数率；更多计数可提供更好的统计数据。
特点
25 mm2 有效面积准直至 17 mm2
也有 70 mm2 准直至 50 mm2
5.9 keV 时 122 eV FWHM 分辨率
计数率 > 1,000,000 CPS
高峰背比 – 26,000/1
前置放大器输出上升时间 <35>i>
窗口：Be（0.5 密耳）12.5 μm 或专利 C 系列 (Si3N4)
硬辐射
探测器厚度 500 μm
TO-8 封装
冷却 ΔT>85 K
多层准直器
真正的技术
噪声更低 → 改善后的分辨率低至 122 eV FWHM
泄漏电流更低 → 工作温度更高（延长电池寿命）
电荷收集更好 → 光峰形状更好（无拖尾）
质量 → 探测器具有一致的性能，更容易校准
应用
超快速台式和手持式 XRF 分析仪
作为 EDS 系统的一部分，在 SEM 中扫描/绘制样品谱图
在线流程控制
X 射线分拣机
太空和天文应用
OEM
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