联系人：岳工
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| 品牌 |
化合积电CSMC |
型号 |
蓝宝石基氮化铝/硅基氮化铝 |
| 材质 |
未知 |
加工定制 |
是 |
| 类型 |
可定制化产品 |
外形尺寸 |
200nm |
硅基氮化铝：
@高质量
@大面积
@低成本
产品名称
| AlN on Si
|
基底材料（Substrate）
| 500±10um Si(100)
|
直径（inch）
| 2、4……可定制
|
AlN外延厚度（Thickness）
| 50~200nm
|
晶面取向（Orientation）
| c-aixs [0001]
|
表面粗糙度（nm）(5x5um)
| Ra < 1nm (200nm)
|
HRXRD半高宽(°) @（0002）
| ＜1.5°
|
总厚度变化(TTV)
| ＜ 7um
|
翘曲度(Warp)
| ＜30um
|
弯曲度(Bow)
| -10 ~15um
|
包装（Packaging）
| 单片/多片晶圆盒
|
关于企业
化合积电（厦门）半导体科技有限公司,是一家专注于第三代（宽禁带）半导体衬底材料和基于GaN材料的电力电子、射频器件研发和生产的高科技企业。公司致力于为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”，通过不断的产品研发和技术创新，推动科技的发展和进步。主要产品包括：晶圆级金刚石衬底、金刚石热沉片、硅基氮化铝基板、GaN基HEMT、逆变器等。广泛应用于5G、快充、光伏、新能源汽车等领域。
创新研发掌握核心科技
研发实力位居全球前列，国际一流团队10余年技术积累，领衔建设高水平研究平台，汇聚来自全球半导体领域的科学家和资深工程师 ，攻克关键核心技术。
在厦门、首尔等地建立两大研发中心，拥有近1000平方米研发基地，全球的研发设备一应俱全，作为产学研合作标杆，行业前沿科技创新，获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号。
自主生产匠心品质
超3000平方米生产基地，智能制造设备确保品质，产品通过ISO9001质量管理体系认证，全方位确保客户售后无忧。
拥有MOCVD、PVD等国际一流设备20多台，是国内少数拥有完整半导体工艺链的平台之一。齐全的检测设备，100%检测，确保产品品质。
布局全球服务网络
立足厦门，构建全球销售服务总部和大型生产基地；建立上海、深圳两个办事处，高效便捷服务，赋能经济核心区；创设厦门、首尔两大研发中心支持全球客户技术和产品开发。
我们坚持以持续的技术创新为客户创造价值，秉持为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”理念，不断立足前沿，持续突破，工艺革新方向，在5G、快充、光伏、新能源汽车等领域，得到了行业头部重量级客户认可。
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