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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
型号 |
BSM200GA120DN2 |
| 控制方式 |
双向 |
封装方式 |
金属封装 |
| 电流容量 |
大功率 |
关断速度 |
高频（快速） |
| 外形 |
平板式 |
加工定制 |
否 |
| 额定平均电流 |
210 |
正向转折电压 |
1600 |
| 正向阻断峰值电压 |
1600 |
反向峰值电压 |
1600 |
| 正向平均压降 |
1600 |
维持电流 |
210 |
| 控制极触发电压 |
1600 |
控制极触发电流 |
210 |
| 导通时间 |
详询 |
关断时间 |
详询 |
| 产地 |
德国 |
厂家 |
英飞凌 |
| 产品型号 | TD210N16KOF |
| 制造商编号 | 641-TD210N16KOF |
| 描述 | Discrete Semiconductor Modules 1600V 410A |
| Infineon | 製造商
|
| 離散半導體模組 |
產品類型
|
| 符合 RoHS |
RoHS
|
| Thyristor Power Modules |
產品
|
| Phase Control Thyristor Module |
類型
|
| SMD/SMT |
安裝風格
|
| TD210 |
封裝/外殼
|
| Series Connection - SCR, Diode |
配置
|
| - 40 C to + 125 C |
工作溫度
|
| 410 A |
輸出電流
|
| TD210N |
系列
|
| Infineon Technologies |
品牌
|
| 200 mA |
閘極觸發器電流 - Igt
|
| 300 mA |
保持電流 Ih 蕞大
|
| 1600 V |
反向電壓
|
| 3 us |
標準延遲時間
|
| 50 |
標準包裝數量
|
1 IGBT额定电压的选择
三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流电压的值：
在开关工作的条件下，fGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1 电压等级的IGBT。
2 IGBT额定电流的选择
以30kW器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择负载电流约为 ，建议选择电流等级的IGBT。
3 IGBT开关参数的选择
的开关频率一般小于10 kH Z，而在实际工作的过程中，fGBT的通态损耗所占比重比较大，建议选择低通态型IGBT，以30 kW ，逆变频率小于10kH z的变频器为例，选择IGBT的开关参数见表1。
4 影响IGBT可靠性因素
1）栅电压。
IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，用到20V， 而棚电压与栅极Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也咯小。
在桥式电路和大功率应用情况下，为了避免干扰，在IGBT关断时，栅极加负电压，一般在-5- 15V，保证IGBT的关断，避免Miller效应影响。
2）Miller效应。
为了降低Miller效应的影响，在IGBT栅驱动电路中采用改进措施：（1）开通和关断采用不同栅电阻Rg,on和Rg,off，确保IGBT的有效开通和关断；（2）栅源间加c，对Miller效应产生的电压进行能量泄放；（3）关断时加负栅压。在实际设计中，采用三者合理组合，对改进Mille r效应的效果更佳。
5 结束语
（1）IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件，也是逆变器中主要工作器件，合理选择IGBT是保证IGBT可靠工作的前提，同时，要根据三相逆变电路结构的特点，选择低通态型IGBT为佳。
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