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| 品牌 |
CAMECA |
是否支持加工定制 |
否 |
| 是否进口 |
否 |
|
适用于半导体应用的高性能低能量SIMS
IMS Wf和SC Ultra经专门设计，可充分满足高级半导体对动态SIMS测量日益增长的需求该仪器可提供大范围的冲击能量（150 eV到13 keV），不影响质量分辨率和一次离子束密度，可确保在高通量条件下为具挑战性的应用提供卓越的分析性能：超浅能量和高能量注入物、超薄氮氧化物、高k金属栅极、硅锗掺杂层，Si:C:P结构、PV和LED器件及石墨烯等等。
从标准到超浅深度剖析
对半导体进行分析的首要条件是优化SIMS分析条件以进行超浅深度剖析，而无需舍弃标准深度剖析应用。CAMECA因此开发了独特的SIMS仪器设计，能够溅射具有大范围碰撞能量的样品：从用于厚结构的高能量（keV范围）到用于超薄结构的超低能量（≤150eV）。这种碰撞能量选择的灵活性适用于不同的控制良好的溅射条件（物种、入射角等）。
CAMECAIMS Wf和SC Ultra可提供此类极限低碰撞能量（EXLIE）功能的SIMS仪器，且在高质量分辨率和高透过率方面毫不逊色。
高自动化水平
随着SIMS技术的成熟，用户希望能够降低实现高再现性和高精度测量所需的专业知识要求。未来发展趋势显然是无人值守的自动分析。CAMECA IMS Wf和SC Ultra利用计算机自动化应对该挑战，确保完全控制所有分析参数（分析方案、仪器设置等）。
气锁系统、样品台和分析室已进行了优化，最多可容纳300毫米的晶圆（IMS Wf型号），并可在一批次中装载大量样品——在IMS Wf型号中最多可装载100个样品，同时还提供气锁和分析室之间的完全电动化转移。
凭借高自动化水平，IMS Wf和SC Ultra可执行快速深度剖析，具有优化的样品通量和出色的测量稳定性，确保了SIMS工具生产率。
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