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| 品牌 |
EPC |
封装 |
LGA |
| 批号 |
22+ |
数量 |
98000 |
| 制造商 |
EPC |
系列 |
eGaN® |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
30V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
60A（Ta） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
2.5V@20mA |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
模具 |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
型号 |
EPC2023 |
| 品牌： | EPC |
| 型号： | EPC2023 |
| 封装： | LGA |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 98000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | EPC |
| 系列： | eGaN? |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 60A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 1.3 毫欧 @ 40A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 2.5V @ 20mA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 2300 pF @ 15 V |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 模具 |
18926576168