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| 品牌 |
STMICROELECTRONICS |
封装 |
SMD |
| 批号 |
24+ |
数量 |
8000 |
| 制造商 |
STMicroelectronics |
产品种类 |
IGBT晶体管 |
| RoHS |
是 |
封装/箱体 |
TO-247-3 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
配置 |
Single |
| 集电极—射极饱和电压 |
1.5V |
栅极/发射极最大电压 |
-20V,+20V |
| 在25C的连续集电极电流 |
100A |
Pd-功率耗散 |
300W |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| 系列 |
HB2 |
集电极最大连续电流Ic |
100A |
| 栅极—射极漏泄电流 |
250nA |
型号 |
STGWA50IH65DF |
| 品牌： | STMICROELECTRONICS |
| 型号： | STGWA50IH65DF |
| 封装： | SMD |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 8000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.5 V |
| 栅极/发射极最大电压： | - 20 V, + 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 100 A |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| 系列： | HB2 |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 100 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 250 nA |
18926576168