| 品牌 |
TOSHIBA/东芝 |
型号 |
TPW1500CNH |
| 类型 |
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 |
沟道类型 |
N型沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
适合频率 |
中频 |
| 材质 |
MES金属半导体 |
加工定制 |
否 |
| 数量 |
100000 |
封装 |
DSOP-8 |
| 批号 |
20+ |
|
| 产品属性 | 属性值 |
| 制造商: | Toshiba |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DSOP-8 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 150 V |
| Id-连续漏极电流: | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 15.4 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
| Qg-栅极电荷: | 22 nC |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 142 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 商标名: | U-MOSVIII-H |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | Toshiba |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 12 ns |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 8 ns |
| 系列: | TPW1500CNH |
| 工厂包装数量: | 5000 |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 36 ns |
| 典型接通延迟时间: | 20 ns |
| 单位重量: | 104 mg |
13316595531