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LT-300直流光电导少子寿命测试仪
LT-300直流光电导少子寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准（F28-75）及国家标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用直流光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，硅单晶寿命测量ρ≥1Ω·cm，寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
（1）寿命测试范围：1~7000μs；电阻率测量范围：ρ≥1Ω·cm
测量重复性误差≤±20%
（2）光脉冲发生装置
重复频率＞20~30次/s，光脉冲关断时间：0.2~1μs，余辉＜1μs
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶），红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源
脉冲电源：5A～20A
（3） 放大器和检波器
放大倍数约25倍，频宽：2Hz～2MHz
（5）可测单晶尺寸：
样棒直径≤20mm，长度≤150mm
（6）读数方式：可选配载流子寿命专用测试软件系统或专用数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。
KSM单点式载流子寿命测试系统测量界面
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