联系人：陈经理
邮箱：info@f-lab.cn
电话：13820163359
地址： 上海浦东新区上海自由贸易试验区德堡路38号2幢楼三层
| 型号 |
GaN IMFET |
测量范围 |
1.001至1.999ut |
| 测量精度 |
0.001ut |
分辨率 |
0.001ut |
| 用途 |
GaN功放管 |
产地 |
中国 |
| 厂家 |
辅光精密仪器 |
|
该系列GaN IMFET氮化镓微波功率晶体管代表了国产GaN功放管的较高技术水平,技术参数和表现达到了国外同类氮化镓微波功率晶体管的水平,但是氮化镓微波功率晶体管价格具有很强的竞争力.详情联系我们。
中国制造的GaN IMFET不断改进和完善，使氮化镓（GaN）晶体管能够在更高的频率下工作并产生更高的输出功率，广泛用于射频放大器，使地球站能够与天空中的卫星通信。
中国制造的GaN IMFET比过去小得多，效率也更高。与Si和GaAs技术相比，GaN技术仍然是新技术，但工程师们正在开始探索其优点和能力。GaN具有高击穿场、高饱和速度和优异的热性能，非常适合要求苛刻的VSAT应用。
该设备是GaN IMFET，在行业标准空腔封装中完全匹配50Ω，非常适合jun用和民用雷达。该设备可以支持脉冲和线性操作。
无铅且符合ROHS标准，可根据要求提供评估板。
主要功能
*频率：1.2至1.4 GHz
*输出功率（P3dB）：540 W
*线性增益：19.9 dB
*典型PAE3dB1:66.7%
*工作电压：50 V
*低热阻封装
*支持脉冲
注1:@1.3 GH
13820163359