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| 型号 |
FPIXRF-sdd |
测量范围 |
7.3~11μm |
| 测量精度 |
0.001 |
产地 |
欧洲 |
| 厂家 |
www.f-lab.cn/tanceqi1.html |
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这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专门为RF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计,提供窗口材料的选择，从铍（8μm）到薄型聚合物（用于轻型透射）,并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域. 此外,所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。
(上述价格不准确，请您联系我们获得准确报价）
硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户，SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓yue和稳定的性能，以产生快速图。
硅漂移探测器规格
| SDD探测器典型特征 | ||
| 传感器区域 | 窗口选项 | 分辨率eV（Mn K / C） |
| 10mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤123-133 |
| 30mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤126-133 |
| 60mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤126-133 |
| 100mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤128-
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