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| 型号 |
LPP-EUV |
运转方式 |
连续式 |
| 激励方式 |
电激励式 |
波段范围 |
近紫外 |
| 光路径 |
内光路 |
产地 |
www.felles.cn/dengliziti.html |
| 厂家 |
www.felles.cn/dengliziti.html |
|
这款激光等离子体EUV光源是采用激光诱导等离子体LPP技术制造的LPP-EUV光刻光源,具有超高亮度和超di碎屑debris独特优势,非常适合取代Cymer公司LPP-EUV极紫外光源用于光刻。
这款激光等离子体EUV光源采用快速旋转液体金属靶材，这种创新型的LPP靶材配备碎屑减缓技术（debris mitigation techniques）从而产生了清洁的光子EUV光源。
激光等离子体EUV光源采用快速旋转靶材技术，具有如下特点：
-将液滴碎片重定向到远离输入（激光）和输出（EUV）窗口的位置
-高重复率激光系统（高达1MHZ）的无干扰靶面
-目标连续时所需的最小同步
-优良的固有源空间稳定性
高转速使得液滴角速度分布发生剧烈变化，初始速度与目标线速度相当
(上述价格不一定准确，请您联系我们获得准确报价）
激光等离子体EUV光源型号S规格参数
| 型号 | EUV收集角 sr
| 激光平均
功率, W
| 激光
脉宽, ns
| 激光重复
频率, kHz
| 等离子体
尺寸, μm
| 亮度*,
W/mm2sr
| EUV 功率**
mW
| 收集器寿命***, % |
| s100 | 0.05 | 100 | 1.5 | 25 | 60 | 110 | 5 | >1年 |
| s200 | 0.05 | 200 | 1.5 | 50 | 60 | 220 | 10 | >0.5年 |
| s400 | 0.05 | 400 | 1.5 | 100 | 60 | 450 | 20 | >0.5年 |
激光等离子体EUV光源型号M规格参数
| 型号 | EUV收集角 sr
| 激光平均
功率, W
| 激光
脉宽, ns
| 激光重复
频率, kHz
| 等离子体
尺寸, μm
| 亮度*
W/mm2sr
| EUV功率**
mW
| 收集器寿命***, % |
| M100 | 0.15 | 100 | 1.5 | 25 | 60 | 110 | 15 | >1year |
| M200 | 0.15 | 200 | 1.5 | 50 | 60 | 220 | 30 | >0.5year |
| M400 | 0.15 | 400 | 1.5 | 100 | 60 | 450 | 60 | >0.5year |
说明：所有参数均适用于带内（13.5 nm±1%）辐射。带内辐射的转换效率为2%@2π。对于全波段（13.5nm±2%）的转换效率为4%@2π，允许双倍亮度和收集的EUV功率加倍。
通过使用可更换的膜，可以防止任何颗粒到达包含十字线、膜和任何敏感元件的腔室
*-在30-60um不同光源尺寸的等离子体中（亮度越高，光斑尺寸越小）
**-收集后镜像。
***-反射率损失10%的时间
13820163359